上個(gè)月，在波士頓舉行的國(guó)際微電子和封裝協(xié)會(huì)年會(huì)上，銦泰公司半導(dǎo)體材料產(chǎn)品經(jīng)理Dean Payne和半導(dǎo)體先進(jìn)材料全球產(chǎn)品經(jīng)理Sze Pei Lim共同接受了3D InCites的Francoise von Trap采訪，共同探討電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域新材料應(yīng)用的挑戰(zhàn)。話題主要集中在有壓銀燒結(jié)材料及其在電動(dòng)汽車(chē)中的應(yīng)用，以及逆變器模組功率模塊內(nèi)的芯片貼裝工藝。

EV市場(chǎng)是一個(gè)令人炫目的、快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)。眾多的造車(chē)新勢(shì)力正不遺余力的推出新款電動(dòng)車(chē)。此外，許多老牌傳統(tǒng)車(chē)企也積極布局電動(dòng)車(chē)。電動(dòng)車(chē)推廣中遇到的最大障礙恐怕就是“里程焦慮”——人們擔(dān)心電量在駕駛中途耗盡，而完成充電所需的時(shí)間長(zhǎng)。在電動(dòng)車(chē)中，電池中的直流電經(jīng)逆變器轉(zhuǎn)換為交流電，驅(qū)動(dòng)電機(jī)，帶動(dòng)車(chē)輛運(yùn)行。組成逆變器功率模塊的封裝和組裝技術(shù)也不斷的發(fā)展，以滿(mǎn)足如降低開(kāi)關(guān)損耗、高壓快速充電的需求。

第三代半導(dǎo)體器件（如：碳化硅MOSFET）正在取代傳統(tǒng)的硅基IGBT，因?yàn)榍罢呔哂懈叩臒釋?dǎo)率，并且可以在更高的溫度下工作而不損失性能（或者說(shuō)更少受限于散熱）。這類(lèi)模塊能夠在相同尺寸下實(shí)現(xiàn)更高的功率輸出，或者在類(lèi)似的額定功率下，體積更小。另外，頻率更高，這意味著損耗更小，充電更快。

圖1–電動(dòng)車(chē)變流器中應(yīng)用到的燒結(jié)電源模塊示例

為實(shí)現(xiàn)碳化硅MOSFET的全部?jī)?yōu)點(diǎn)，芯片貼裝材料的選擇至關(guān)重要，壓銀燒結(jié)材料是目前主流的選擇。芯片燒結(jié)通常在約250°C的溫度下實(shí)現(xiàn)。銀的熔點(diǎn)為961°C，這意味著芯片可以在遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)焊料溫度下工作。另外，與焊料相比，有銀壓燒材料的導(dǎo)熱、導(dǎo)電效果更好。這些特性使得銀燒結(jié)的芯片貼裝互連層比焊料更高效、散熱性更佳，并且更加可靠。

InFORCE ?MF是一款用于第三代半導(dǎo)體芯片貼裝的新型有壓燒結(jié)銀焊膏。InFORCE ?MF金屬含量高，金屬比例>90%，有機(jī)物少，通過(guò)配方優(yōu)化，提升印刷性能。此外，InFORCE ?MF還具有出色的印刷性、快速預(yù)烘干、燒結(jié)過(guò)程中揮發(fā)物質(zhì)少，貼裝互連層厚度一致性高等優(yōu)點(diǎn)。此外，低有機(jī)物含量意味著只需要使用更少的材料就可以達(dá)到燒結(jié)后的目標(biāo)厚度。

圖2–銀含量（按重量計(jì)）百分比與非銀內(nèi)含物（按體積計(jì)）之間的關(guān)系

銦泰公司還有一系列有壓、無(wú)壓銀、銅燒結(jié)材料。如果您想了解更多信息，可在文章下方留言或后臺(tái)私信，小編編將在第一時(shí)間將相關(guān)資料發(fā)送給您喔!