演講時(shí)間：5月23日 13:55-14:20

演講地點(diǎn)：蘇州·獅山國際會(huì)議中心-制造與先進(jìn)封裝（太湖B廳）

演講內(nèi)容：基于當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)高功率器件的發(fā)展，具有高導(dǎo)熱導(dǎo)電的燒結(jié)銀逐漸步入市場(chǎng)并被用于越來越多的產(chǎn)品之中。燒結(jié)銀在眾多領(lǐng)域如5G、電動(dòng)汽車等行業(yè)發(fā)揮了傳統(tǒng)錫膏無可比擬的作用。然而，燒結(jié)銀受原材料銀的限制，成本較高。另外，為適用燒結(jié)銀的性能需求，當(dāng)使用燒結(jié)銀做芯片連接時(shí)，芯片和基底表面都必須進(jìn)行銀鍍處理。

基于此，我們開發(fā)了同樣具有高導(dǎo)熱導(dǎo)電性能的燒結(jié)銅。燒結(jié)銅成本低，且實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)證實(shí)燒結(jié)銅在裸銅表面的燒結(jié)性能比在貴金屬鍍層金或銀上更優(yōu)。換言之，使用燒結(jié)銅作為芯片連接材料，無須對(duì)芯片或基板做特殊鍍層金或銀處理。銦泰公司開發(fā)的加壓和無壓燒結(jié)銅產(chǎn)品，在裸銅基板上均有優(yōu)異表現(xiàn)。加壓燒結(jié)銅在270-280℃,20-25MPa, 5-10min,N2的燒結(jié)條件下，可以達(dá)>40MPa的燒結(jié)強(qiáng)度。無壓燒結(jié)銅也可以達(dá)到>25MPa的燒結(jié)強(qiáng)度，其燒結(jié)條件為 240-250℃, 30-45min, N2。另外，通過TCT和TST測(cè)試，兩款膏都展現(xiàn)了高可靠性。