從1924年William S. Murray博士在紐約州Utica研究金屬銦開始，銦就一直在技術(shù)發(fā)展中發(fā)揮著關(guān)鍵性的作用。而自1934年銦泰公司創(chuàng)辦開始，兩者就緊密結(jié)合在一起，引領(lǐng)并支持著今天我們高度依賴的科技進(jìn)步。
銦主要從含銦的鋅礦石或錫礦石中提取，并通過由先進(jìn)的統(tǒng)計(jì)學(xué)精控的精煉技術(shù)提煉成不同純度的產(chǎn)品。
銦泰公司在美國、韓國和中國都生產(chǎn)和精煉銦。
沒有其他金屬能像銦擁有如此廣泛的用途。銦有很多種形式，可用于：
- 超低溫密封——在溫度低于-150°C時(shí)，銦仍具延展性和可鍛性。
- 焊接或熔合——熔化溫度：6.5°C ~310°C。
- 高端器件冷卻——可將工作溫度最高降低10°C。
除開它的金屬特性，銦還具備可貴的半導(dǎo)體性質(zhì)。因此銦還被用于：
- 太陽電池板中的吸收層材料，可將太陽的光子轉(zhuǎn)換成可用的電能。
- 多種化合物半導(dǎo)體材料，例如砷化銦（InAs）、銦鎵砷（InGaAs）、銦氮化稼（InGaN），促成集成電路、激光和發(fā)光二極管LED等需要的電子和光電應(yīng)用。
銦也與多種半導(dǎo)體氧化物結(jié)合使用，發(fā)揮其可貴的作用——透明導(dǎo)體。今天市場(chǎng)上所有的平板顯示器和觸摸屏幾乎都在使用氧化銦錫（ITO）。事實(shí)上，IGZO（結(jié)合銦、鎵和鋅氧化物）是將來用于下一代顯示器像素開關(guān)晶體管的首選材料。
銦濺射靶材通常與銅鎵（CuGa）濺射靶材一起使用來共沉積銅、銦、鎵，并與硫/硒結(jié)合，形成CIS / CIGS（太陽能）薄膜電池的活性層。利用蒸鍍法，可將其他形式的銦（如球狀或彈狀）沉積形成類似的活性層。
銦是許多密封應(yīng)用（尤其是超低溫密封）的理想材料。在超低溫密封中使用銦主要有兩點(diǎn)好處：
- 銦能在超低溫下保持延展性。
- 銦柔軟、韌性強(qiáng)，能填滿配合的兩個(gè)金屬表面的縫隙，形成完全的密封。
能用于普通操作溫度下的大部份密封材料，在-150°C的低溫下會(huì)斷裂。
通常的密封操作要求在通道或其他不平不光滑的平面間完成密封。銦不需要回流就能彌補(bǔ)這些缺陷。
銦的清潔度在密封應(yīng)用中極其重要。銦能自鈍化，會(huì)在表面形成厚度為80 – 100 埃的氧化物。如果氧化物沒有被完全清除，當(dāng)其在密封件里受到壓縮，會(huì)成為漏氣的源頭。（詳情請(qǐng)閱讀我們的應(yīng)用說明銦的密封應(yīng)用?或者 腐蝕法清除銦氧化物。)
用于超低溫密封的銦有多種形式，請(qǐng)根據(jù)您的具體應(yīng)用選擇：
- 銦線
- 適用于手工密封
- 通道密封中效果最佳
- 直徑從0.010英寸 (0.254毫米)起
- 銦片
- 提供精密的、用量穩(wěn)定的銦
- 可以使用卷帶包裝，用于自動(dòng)化工藝
- 銦箔或銦帶
更多關(guān)于金屬銦或者銦線的信息，請(qǐng)聯(lián)系我們。
銦（鎵相對(duì)沒有那么嚴(yán)重）的供應(yīng)是一個(gè)熱門話題。世界上大部分的銦（超過50%）都用于ITO（氧化銦錫）。ITO是一種透明導(dǎo)體，被用于現(xiàn)代平板液晶顯示器（LCD）。由于LCD市場(chǎng)在過去十年里的顯著增長(zhǎng)，銦的儲(chǔ)量被經(jīng)常問及。
不幸的是有很多錯(cuò)誤信息，當(dāng)中很多似乎被當(dāng)成了常識(shí)。
而我們認(rèn)為：銦根本不存在短缺的問題，已知的儲(chǔ)量可以供應(yīng)全球市場(chǎng)很多很多年。
因?yàn)殛P(guān)于銦短缺的說法傳播得太廣，我們會(huì)持續(xù)在技術(shù)會(huì)議上發(fā)表白皮書和演講，說明銦的儲(chǔ)量的真相。關(guān)于這方面的更多信息，請(qǐng)查看本頁的鏈接或者閱讀我們銦化合物的博客。
