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對話3D InCites:共同探討EV領(lǐng)域的挑戰(zhàn)

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2022年 12月 22日

上個月,在波士頓舉行的國際微電子和封裝協(xié)會年會上,銦泰公司半導(dǎo)體材料產(chǎn)品經(jīng)理Dean Payne和半導(dǎo)體先進材料全球產(chǎn)品經(jīng)理Sze Pei Lim共同接受了3D InCites的Francoise von Trap采訪,共同探討電動汽車領(lǐng)域新材料應(yīng)用的挑戰(zhàn)。話題主要集中在有壓銀燒結(jié)材料及其在電動汽車中的應(yīng)用,以及逆變器模組功率模塊內(nèi)的芯片貼裝工藝。

EV市場是一個令人炫目的、快速增長的市場。眾多的造車新勢力正不遺余力的推出新款電動車。此外,許多老牌傳統(tǒng)車企也積極布局電動車。電動車推廣中遇到的最大障礙恐怕就是“里程焦慮”——人們擔(dān)心電量在駕駛中途耗盡,而完成充電所需的時間長。在電動車中,電池中的直流電經(jīng)逆變器轉(zhuǎn)換為交流電,驅(qū)動電機,帶動車輛運行。組成逆變器功率模塊的封裝和組裝技術(shù)也不斷的發(fā)展,以滿足如降低開關(guān)損耗、高壓快速充電的需求。

第三代半導(dǎo)體器件(如:碳化硅MOSFET)正在取代傳統(tǒng)的硅基IGBT,因為前者具有更高的熱導(dǎo)率,并且可以在更高的溫度下工作而不損失性能(或者說更少受限于散熱)。類模塊能夠在相同尺寸下實現(xiàn)更高的功率輸出,或者在類似的額定功率下,積更小。另外,頻率更高,這意味著損耗更小,充電更快。

圖1–電動車變流器中應(yīng)用到的燒結(jié)電源模塊示例

為實現(xiàn)碳化硅MOSFET的全部優(yōu)點,芯片貼裝材料的選擇至關(guān)重要,壓銀燒結(jié)材料是目前主流的選擇。芯片燒結(jié)通常在約250°C的溫度下實現(xiàn)。銀的熔點為961°C,這意味著芯片可以在遠高于傳統(tǒng)焊料溫度下工作。另外,與焊料相比,有壓燒材料的導(dǎo)熱、導(dǎo)電效果更好。這些特性使得銀燒結(jié)的芯片貼裝互連層比焊料更高效、散熱性更佳,并且更可靠。

InFORCE ?MF是一款用于第三代半導(dǎo)體芯片貼裝的新型有壓燒結(jié)銀焊膏。InFORCE ?MF金屬含量高,金屬比例>90%,有機物少,通過配方優(yōu)化,提升印刷性能。此外,InFORCE ?MF還具有出色的印刷性、快速預(yù)烘干、燒結(jié)過程中揮發(fā)物質(zhì)少,貼裝互連層厚度一致性高等優(yōu)點。此外,低有機物含量意味著只需要使用更少的材料就可以達到燒結(jié)后的目標(biāo)厚度。

圖2–銀含量(按重量計)百分比與非銀內(nèi)含物(按體積計)之間的關(guān)系

銦泰公司還有一系列有壓、無壓銀、銅燒結(jié)材料。如果您想了解更多信息,可在文章下方留言或后臺私信,小編編將在第一時間將相關(guān)資料發(fā)送給您喔!

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